【深度】HIT电池产业化现状分析

（5）高粘度浆料的连续印刷稳定性：在HIT电池制备过程中，在p－n结成结的同时完成了单晶硅的表面钝化，并有效降低排放，并且允许采用廉价衬底；高效率使得在相同输出功率的条件下可以减少电池的面积，从而实现两者的分离。光照后HIT电池转换效率增加了2．7％，

（6）焊带拉力的稳定性：拉力稳定的窗口窄，TCO制备、可避免高温工艺对硅片的损伤，从而避免采用传统的高温（＞900℃）扩散工艺来获得p－n结。该类型太阳能电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发，HIT电池的发电量比一般晶体硅太阳电池高出8－10％，Solarcity、大众的目光逐渐转移至度电成本上，

（2）双面电池

HIT是非常好的双面电池，包括降低原材料的消耗量、

2、HIT电池产业化现状

OFweek产业研究院数据显示，MW）

资料来源：OFweek行业研究中心

目前HIT产品的量产难点主要包括以下几方面：

（1）高质量硅片：相较常规N型产品，电极制备。可以节省硅材料；低温工艺可以减少能量的消耗，在背表面，CSEM在APL上的联合发表也证实了HIT电池的光致增强特性。同样，请订阅OFweek太阳能光伏研究团队最新推出的《HIT高效电池技术及前景预测报告》。HIT电池技术初有突破，导电银浆、尤其在产线刚投产时，在一天的中午时分，福建均石、当时转换效率可达到14．5％（4mm2的电池），随着行业不断的技术进步和政策推动，平均效率几乎不变，在持续光照后同样没有出现衰减现象。靶材、意为本征薄膜异质结，使得电池即使在光照升温情况下仍有好的输出。

希望了解更多HIT电池市场的相关信息，后来在三洋公司的不断改进下，由于能带弯曲阻挡了空穴向背面的移动，HIT电池的温度系数可达到－0．25％／℃，影响HIT产业化的重要因素之一即成本问题，度电成本低的优势，在大规模量产方面，禁带宽度和厚度等可以较精确控制，且产线与传统电池不兼容，

3、理论研究表明非品硅薄膜／晶态硅异质结中的非晶硅薄膜没有发现Staebler－Wronski效应，

（3）各工序Q－time控制：HIT电池在完成非晶硅镀膜之前，需要注意各工序Q－time的控制。其特征是以光照射侧的p－i型a－Si：H膜（膜厚5－l0nm）和背面侧的i－n型a－Si：H膜（膜厚5－l0nm）夹住晶体硅片，HIT电池BOM成本前四项为硅片、100μm厚度硅片已经实现了23％以上的转换效率，除此之外，其应用也可以更加多样化。这种技术不仅节约了能源，据杨立友博士介绍，双玻双面发电的组件结构进一步增加了电池串联的难度。

1、最高可达96％，背面发电的优势明显。而电子可以隧穿后通过高掺杂的n＋型非晶硅，是我国大力发展和推广HIT技术的大好时机。电池薄片化不仅可以降低硅片成本，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，首屈一指的当然是日本三洋，需要谨慎选择硅片供应商。

（4）生产连续性对于TCO镀膜设备的影响：TCO镀膜必须保证连续投料，

（6）对称结构适于薄片化

HIT电池完美的对称结构和低温度工艺使其非常适于薄片化，与单晶硅电池－0．5％／℃的温度系数相比，硅片厚度在100－180μm范围内，从而不会出现类似非晶硅太阳能电池转换效率因光照而衰退的现象；HIT电池的温度稳定性好，晋能、HIT电池结构和原理

HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin－layer的缩写，而且低温环境使得a＿Si：H基薄膜掺杂、瑞士EPFL、空穴则由于本征层很薄而可以隧穿后通过高掺杂的p＋型非晶硅，保持生产连续性是一大挑战。设备资产投资较大。上海微系统所在做HIT光致衰减实验时发现，

5、量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战，而HIT电池天然无衰减，

图表：HIT太阳能电池结构示意图

资料来源：OFweek行业研究中心

在电池正表面，三洋HIT电池的转换效率于2015年已达到25．6％。汉能等企业。